PIN фотодиоды с большой площадью активной области

Описание

Технические характеристики

Представляют собой неохлаждаемые полупроводниковые p-i-n структуры на основе InGaAs с подведенной системой электрических контактов. Возможны исполнения как в компактном TO корпусе, так и в любом другом корпусе по требованию заказчика.

Применение PIN фотодиодов:

Измерение оптической мощности излучения
Спектральный анализ
LIDAR системы
Дистанционные датчики температуры
Определение влажности воздуха
Обнаружение фазовой границы лед/талый лед
Мониторинг утечек газа
Мини SWIR камеры
Скрытое ИК-зондирование

Модель	PIN1000-17-D	PIN1000-17V-D	PIN2000-17-D	PIN2000-17V-D	PIN3000-17-D
Спектральный диапазон, мкм	0.9 – 1.7	0.6 – 1.7	0.9 – 1.7	0.6 – 1.7	0.9 – 1.7
Размер активной области, мкм	950	950	1850	1850	3000
Темновой ток, нА	2	2	10	10	15
Шунтирующее сопротивление @-10 мВ, МОм	100	80	40	20	20
Емкость @ 1 МГц, пФ
@ 0 В	120	120	360	360	900
@ -5 В	60	60	200	200	500
3dB Полоса пропускания @ - 5 В, 50 Ом, МГц	40	40	15	15	6
Фоточувствительность @ 0 В, А/Вт
@ 0.65 мкм	-	0.30	-	0.30	-
@ 0.85 мкм	0.20	0.45	0.20	0.45	0.20
@ 1.30 мкм	0.95	0.90	0.95	0.90	0.95
@ 1.55 мкм	1.00	0.95	1.00	0.95	1.00
Мощность насыщения @ 1.55 мкм, 0 В, мВт	7.0	2.0	4.0	0.5	3.0
NEP @ 1.55 мкм, 0 В, 1 кГц, 10^-14	1.2	2.5	2.4	6.0	4.0