PIN фотодиоды с большой площадью активной области

Описание
Технические характеристики
Представляют собой неохлаждаемые полупроводниковые p-i-n структуры на основе InGaAs с подведенной системой электрических контактов. Возможны исполнения как в компактном TO корпусе, так и в любом другом корпусе по требованию заказчика.   
 
Применение PIN фотодиодов:
 
  • Измерение оптической мощности излучения
  • Спектральный анализ
  • LIDAR системы
  • Дистанционные датчики температуры
  • Определение влажности воздуха
  • Обнаружение фазовой границы лед/талый лед
  • Мониторинг утечек газа
  • Мини SWIR камеры
  • Скрытое ИК-зондирование

Модель

PIN1000-17-D

PIN1000-17V-D

PIN2000-17-D

PIN2000-17V-D

PIN3000-17-D

Спектральный диапазон, мкм

0.9 – 1.7

0.6 – 1.7

0.9 – 1.7

0.6 – 1.7

0.9 – 1.7

Размер активной области, мкм

950

950

1850

1850

3000

Темновой ток, нА

2

2

10

10

15

Шунтирующее сопротивление @-10 мВ, МОм

100

80

40

20

20

Емкость @ 1 МГц, пФ

 

@ 0 В

120

120

360

360

900

@ -5 В

60

60

200

200

500

3dB Полоса пропускания @ - 5 В, 50 Ом, МГц

40

40

15

15

6

Фоточувствительность @ 0 В, А/Вт

 

@ 0.65 мкм

-

0.30

-

0.30

-

@ 0.85 мкм

0.20

0.45

0.20

0.45

0.20

@ 1.30 мкм

0.95

0.90

0.95

0.90

0.95

@ 1.55 мкм

1.00

0.95

1.00

0.95

1.00

Мощность насыщения @ 1.55 мкм, 0 В, мВт

7.0

2.0

4.0

0.5

3.0

NEP @ 1.55 мкм, 0 В,   1 кГц, 10-14

1.2

2.5

2.4

6.0

4.0

Закажите образцы
Нажимая на кнопку «Отправить», вы даете согласие на обработку своих персональных данных