Да
Нет, выбрать свой
МОП-транзисторы на основе карбида кремния (SiC) всё чаще становятся заменой традиционным кремниевым (Si) IGBT. Неудивительно, ведь SiC имеет ряд преимуществ по сравнению с Si - большую ширину запрещенной зоны и более высокую теплопроводность. SiC MOSFET позволяют заметно повысить рабочую частоту преобразователя и уменьшить потери. Другими словами, используя SiC-ключи, которые на первый взгляд, дороже своих кремниевых собратьев, конечная стоимость всего решения может быть снижена за счет сокращения стоимости дросселя, конденсаторов и теплоотвода.
SiC транзисторы и диоды широко применяются в различных областях силовой электроники, таких как преобразователи частоты, электромобили, солнечные панели, преобразователи солнечной энергии и другие устройства.
06 октября 2015

В статье рассмотрены особенности оптронов для управления затвором транзисторов компании Avago Technologies, используемых для надежного управления и защиты карбидокремниевых MOSFET, которые находят все более широкое применение на рынке силовых полупроводников.

Вопрос-ответ