8 bit I/O

Описание

Технические характеристики

Параллельная магниторезистивная MRAM память обладает высочайшим быстродействием (чтение/запись) сравнимым с СОЗУ. Семейство 8-ми битных MRAM включает в себя микросхемы плотностью 16Mb ... 256Kb в RoHS совместимых TSOP и BGA корпусах. В дополнении к обычным 3.3 В устройствам добавлены устройства с напряжением портов ввода/вывода — 1.8 В. Все устройства энергонезависимой памяти от Everspin обладают неограниченным количеством циклов чтения/записи.

Семейство	Объем	Интерфейс	I/O	Быстродействие	Vdd	Vddq
MR256A08B	256Kb	Parallel	x8	35ns	3.3v
MR256D08B	256Kb	Parallel	x8	45ns	3.3v	1.8v
MR256DL08B	256Kb	Parallel	x8	45ns	2.7 to 3.6v	1.8v
MR0A08B	1Mb	Parallel	x8	35ns	3.3v
MR0D08B	1Mb	Parallel	x8	45ns	3.3v	1.8v
MR0DL08B	1Mb	Parallel	x8	45ns	2.7 to 3.6v	1.8v
MR2A08A	4Mb	Parallel	x8	35ns	3.3v
MR4A08B	16Mb	Parallel	x8	35ns	3.3v