8 bit I/O
Описание
Технические характеристики
Параллельная магниторезистивная MRAM память обладает высочайшим быстродействием (чтение/запись) сравнимым с СОЗУ. Семейство 8-ми битных MRAM включает в себя микросхемы плотностью 16Mb ... 256Kb в RoHS совместимых TSOP и BGA корпусах. В дополнении к обычным 3.3 В устройствам добавлены устройства с напряжением портов ввода/вывода — 1.8 В. Все устройства энергонезависимой памяти от Everspin обладают неограниченным количеством циклов чтения/записи.
| Семейство | Объем | Интерфейс | I/O | Быстродействие | Vdd | Vddq |
| MR256A08B | 256Kb | Parallel | x8 | 35ns | 3.3v | |
| MR256D08B | 256Kb | Parallel | x8 | 45ns | 3.3v | 1.8v |
| MR256DL08B | 256Kb | Parallel | x8 | 45ns | 2.7 to 3.6v | 1.8v |
| MR0A08B | 1Mb | Parallel | x8 | 35ns | 3.3v | |
| MR0D08B | 1Mb | Parallel | x8 | 45ns | 3.3v | 1.8v |
| MR0DL08B | 1Mb | Parallel | x8 | 45ns | 2.7 to 3.6v | 1.8v |
| MR2A08A | 4Mb | Parallel | x8 | 35ns | 3.3v | |
| MR4A08B | 16Mb | Parallel | x8 | 35ns | 3.3v |
Производители
© 2022 Макро Групп карта сайта
Разработка сайта — BQUADRO
