8 bit I/O

Описание
Технические характеристики

Параллельная магниторезистивная MRAM память обладает высочайшим быстродействием (чтение/запись) сравнимым с СОЗУ. Семейство 8-ми битных MRAM включает в себя микросхемы плотностью 16Mb ... 256Kb в RoHS совместимых TSOP и BGA корпусах. В дополнении к обычным 3.3 В устройствам добавлены устройства с напряжением портов ввода/вывода — 1.8 В. Все устройства энергонезависимой памяти от Everspin обладают неограниченным количеством циклов чтения/записи.


Семейство Объем Интерфейс I/O Быстродействие Vdd Vddq
MR256A08B 256Kb Parallel x8 35ns 3.3v  
MR256D08B 256Kb Parallel x8 45ns 3.3v 1.8v
MR256DL08B 256Kb Parallel x8 45ns 2.7 to 3.6v 1.8v
MR0A08B 1Mb Parallel x8 35ns 3.3v  
MR0D08B 1Mb Parallel x8 45ns 3.3v 1.8v
MR0DL08B 1Mb Parallel x8 45ns 2.7 to 3.6v 1.8v
MR2A08A 4Mb Parallel x8 35ns 3.3v  
MR4A08B 16Mb Parallel x8 35ns 3.3v  

 

Производители