Параллельная магниторезистивная MRAM память обладает высочайшим быстродействием (чтение/запись) сравнимым с СОЗУ. Семейство 8-ми битных MRAM включает в себя микросхемы плотностью 16Mb ... 256Kb в RoHS совместимых TSOP и BGA корпусах. В дополнении к обычным 3.3 В устройствам добавлены устройства с напряжением портов ввода/вывода — 1.8 В. Все устройства энергонезависимой памяти от Everspin обладают неограниченным количеством циклов чтения/записи.
Семейство | Объем | Интерфейс | I/O | Быстродействие | Vdd | Vddq |
MR256A08B | 256Kb | Parallel | x8 | 35ns | 3.3v | |
MR256D08B | 256Kb | Parallel | x8 | 45ns | 3.3v | 1.8v |
MR256DL08B | 256Kb | Parallel | x8 | 45ns | 2.7 to 3.6v | 1.8v |
MR0A08B | 1Mb | Parallel | x8 | 35ns | 3.3v | |
MR0D08B | 1Mb | Parallel | x8 | 45ns | 3.3v | 1.8v |
MR0DL08B | 1Mb | Parallel | x8 | 45ns | 2.7 to 3.6v | 1.8v |
MR2A08A | 4Mb | Parallel | x8 | 35ns | 3.3v | |
MR4A08B | 16Mb | Parallel | x8 | 35ns | 3.3v |