8 bit I/O

Параллельная магниторезистивная MRAM память обладает высочайшим быстродействием (чтение/запись) сравнимым с СОЗУ. Семейство 8-ми битных MRAM включает в себя микросхемы плотностью 16Mb ... 256Kb в RoHS совместимых TSOP и BGA корпусах. В дополнении к обычным 3.3 В устройствам добавлены устройства с напряжением портов ввода/вывода — 1.8 В. Все устройства энергонезависимой памяти от Everspin обладают неограниченным количеством циклов чтения/записи.