16 bit I/O

Описание
Технические характеристики

Параллельная магниторезистивная MRAM память обладает высочайшим быстродействием (чтение/запись) сравнимым с СОЗУ. Семейство 16-ти битных MRAM включает в себя микросхемы плотностью 16Mb ... 1Mb в RoHS совместимых TSOP и BGA корпусах. Все устройства энергонезависимой памяти от Everspin обладают неограниченным количеством циклов чтения/записи.


Семейство Объм Интерфейс I/o Быстродействие Vdd
MR0A16A 1Mb Parallel x16 35ns 3.3v
MR2A16A 4Mb Parallel x16 35ns 3.3v
MR4A16B 16Mb Parallel x16 35ns 3.3v

 

Производители
Закажите образцы
Нажимая на кнопку «Отправить», вы даете согласие на обработку своих персональных данных
Менеджер направления
Павел Смирнов
8-800-333-06-05
Задать вопрос менеджеру