16 bit I/O

Описание
Технические характеристики

Параллельная магниторезистивная MRAM память обладает высочайшим быстродействием (чтение/запись) сравнимым с СОЗУ. Семейство 16-ти битных MRAM включает в себя микросхемы плотностью 16Mb ... 1Mb в RoHS совместимых TSOP и BGA корпусах. Все устройства энергонезависимой памяти от Everspin обладают неограниченным количеством циклов чтения/записи.


Семейство Объм Интерфейс I/o Быстродействие Vdd
MR0A16A 1Mb Parallel x16 35ns 3.3v
MR2A16A 4Mb Parallel x16 35ns 3.3v
MR4A16B 16Mb Parallel x16 35ns 3.3v

 

Производители