NAND Flash память

Сегодня на рынке представлены два различных типа устройств NAND флэш-памяти: с одноуровневыми ячейками (Single‑Level‑Cell, SLC) и многоуровневыми ячейками (Multi‑Level‑Cell, MLC). Микросхемы MLC‑типа способны хранить в одной ячейке памяти два или более битов, а микросхемы SLC‑типа – только один бит данных.

Микросхемы MLC‑типа обладают намного большей, по сравнению с микросхемами SLC‑типа, емкостью, однако скорость выполнения операций чтения и записи у них ниже. Кроме того, требования к кодам, исправляющим ошибки (ECC, Error Correcting Codes, ECC),  для устройств MLC‑типа жестче, чем для устройств SLC‑типа, поскольку первые в большей степени подвержены возникновению ошибок.

Области применения NAND Flash:

SLC NAND флэш-память имеет большое количество циклов записи/стирания. Благодаря этому она применяется в твердотельных накопителях на жестких дисках, устройствах, используемых для записи сейсмических данных, сетевом оборудовании, оборудовании HDTV, сканерах штрих-кодов, ударопрочных ПК, авиационных черных ящиках, портативных устройствах хранения информации, а также “карманных” ПК и цифровых фотокамерах.

MLC NAND флэш-памяти применяется в картах памяти цифровых видео- и фотокамер, USB флэш‑накопителях, MP3 плеерах, мониторах для автомобильной диагностики,  устройствах GPS,  аниматронных моделях (роботах, имитирующих объекты живой природы), картах для видеоигр и различных электронных игрушках.

Среди приложений, в которых могут использоваться микросхемы NAND памяти, изготовленные как по MLC, так и по SLC технологии – карты памяти для принтеров (хранение шрифтов),  сотовые телефоны, телекоммуникационное оборудование, голосовая почта и телевизионные компьютерные приставки.