Новости
05.02.2016, 16:30
Образцы транзисторов 0,15 мкм GaN HEMT от Qorvo на складе в СПб
Компания Qorvo закончила финальные испытания транзисторов 0,15 мкм GaN HEMT и теперь готова поставлять их потребителям. Образцы транзисторов доступны по запросу со склада «Макро Групп», официального дистрибьютора компания Qorvo в России. Доступны образцы следующих приборов TGF2934,…
05.02.2016, 13:45
Вибрации 0,20 g²/Гц не страшны для EL40S - 40-сегментного люминесцентного дисплея Lumineq
Во время недавних испытаний, новый 40-сегментный дисплей EL40S успешно выдержал более высокие вибрационные нагрузки (значение вибрационной устойчивости 0,20 g²/Гц уровень ASD 5-500 Гц), чем были заявлены ранее производителем 0,05 g²/Гц и Уровень ASD 5-500 Гц.
Все новости
ВНЕДРЯЯ КАЧЕСТВО!

Компания Макро Групп входит в десятку крупнейших поставщиков электронных компонентов на рынках России и СНГ; нашей основной деятельностью является обеспечение ведущих предприятий высокотехнологичными электронными компонентами. Кроме того мы оказываем услуги НИОКР и контрактного производства.

о компании
Динамические и статические характеристики SiC MOSFET при параллельном включении
Нюансы, связанные с параллельной работой высокоскоростных приборов SiC MOSFET, по сравнению с кремниевыми ключами исследованы очень слабо. В статье рассматриваются особенности параллельного включения карбидокремниевых (SiC) полевых транзисторов. Изучаются параметры, влияющие на статическое и динамическое распределение токов данных устройств, исследована зависимость этих параметров от температуры полупроводника. Разность температур параллельных модулей MOSFET была экспериментально измерена в преобразователе SEPIC при различных сопротивлениях резистора затвора и разных частотах коммутации. Полученные результаты показывают, что токи и температуры могут быть хорошо сбалансированы для последнего поколения SiC MOSFET при низком сопротивлении затвора
Обучающие материалы